Front-Illuminated (FI) CCD-Kamera
Ein Front-Illuminated CCD-Sensor bietet den Vorteil, für viele Anwendungsbereiche und Anregungswellenlängen einsetzbar zu sein. Die FI CCD-Kamera ist damit vor allem für ein begrenztes Budget und unkomplizierte Messungen ausgelegt.
Back-Illuminated (BI) CCD-Kamera
Mit einer Quanteneffizienz von 95% und mehr setzt dieser CCD-Sensor mit rückwärtiger Belichtung den Maßstab für das Detektieren von Raman Signalen im sichtbaren Bereich und ist besonders geeignet für präzises und sensitives FAST RAMAN IMAGINGTM mit höchster lateraler Auflösung. Die Kamera ist auch als UV-optimierte Version erhältlich.
Electron-Multiplying (EM) CCD-Kamera
Durch eine extrem hohe Ausleserate ist die EM CCD-Kamera bestens für den Einsatz bei niedrigen Lichtintensitäten geeignet. Tausende Spektren können pro Sekunde aufgenommen werden, bei einem extrem niedrigen Dunkelstrom von nur 0,0001 Elektronen pro Pixel in der Sekunde. Komplexe und technisch anspruchsvolle Raman-Messungen wie ULTRA-FAST RAMAN IMAGINGTM sind typische Einsatzbereiche für eine EM CCD-Kamera.
Open Electrode (OE) CCD-Kamera
Die OE CCD-Kamera ist eine Front-Illuminated Kamera, die fast die gesamte spektrale Bandbreite abdeckt und besonders gut für Messungen im UV-Bereich geeignet ist. Der geringe Dunkelstrom wirkt sich günstig auf das Signal-Rausch-Verhältnis aus. Dank ihrer vielfältigen Einsatzmöglichkeiten eignet sich eine OE CCD-Kamera für zahlreiche Anwendungsbereiche.
Low Dark-Current Deep Depletion CCD-Kamera
Nahinfrarot (NIR)-Spektroskopie für Raman- oder Photolumineszenz (PL)-Messungen benötigen spezialisierte CCD-Detektoren um zu verhindern, dass die spektralen Daten durch “Etaloning” beeinflusst werden. "Etaloning" beschreibt einen Effekt, der auftritt, wenn Silizium im CCD-Chip zunehmend transparent für Licht höherer Wellenlängen wird und dadurch eine ungleichmäßige spektrale Empfindlichkeit für längere Wellenlängen entsteht. Mit der Low Dark-Current Deep Depletion Technologie dieser Kamera, können kritische NIR- und PL-Experimente ohne Signalverlust durchgeführt werden.
InGaAs Zeilendetektor
Für Streuungsexperimente oberhalb der Si-Bandlücke von etwa 1100 nm bietet WITec einen Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) Zeilendetektor an. Damit lässt sich spektrales Imaging im Infrarotlicht (bis zu 1700 nm) mit Quanteneffizienzen um 90% durchführen.
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